Sự khác biệt giữa Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên tĩnh và Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động là ở cách chúng lưu trữ dữ liệu: DRAM yêu cầu dữ liệu được làm mới theo định kỳ trong khi SRAM không yêu cầu dữ liệu được làm mới định kỳ miễn là nguồn nguồn cung cấp vẫn còn nguyên vẹn. Vì lý do này, hai loại RAM cũng khác nhau về cấu trúc.
SRAM và DRAM là hai loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên và mỗi loại đều có ưu và nhược điểm riêng. DRAM thường chậm hơn SRAM do mạch bổ sung cần thiết cho các chu kỳ làm mới dữ liệu.
Một chip DRAM bao gồm một số ô nhớ. Mỗi tế bào chỉ chứa một bit thông tin và được làm bằng tụ điện và bóng bán dẫn. Tất nhiên, đây là những bộ phận cực kỳ nhỏ và hàng nghìn bộ phận trong số chúng có thể nằm gọn trong một chip nhớ duy nhất. Một sự phức tạp chính được giới thiệu bởi mạch bổ sung trong DRAM là nó đòi hỏi nhiều năng lượng hơn để làm mới dữ liệu. Sự khác biệt này có ý nghĩa đáng kể trong các thiết bị sử dụng pin.
Công nghệ được sử dụng trong SRAM yêu cầu ô nhớ phải có nhiều bóng bán dẫn hơn để chứa một lượng dữ liệu cụ thể. Vì lý do này, ô nhớ trong SRAM chiếm nhiều dung lượng hơn trên chip so với ô nhớ động. Do đó, SRAM cung cấp cho người dùng ít bộ nhớ hơn trên mỗi chip và mang lại sự chênh lệch lớn về chi phí giữa hai chip.
Tóm lại, SRAM nhanh và đắt hơn trong khi DRAM chậm hơn và rẻ hơn.
